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Dependiendo de las fábricas de disipadores, el diseño se puede hacer teniendo una conexión a Internet.-
Por supuesto que es conveniente verificar el diseño en el laboratorio, con mediciones realizadas con sensores térmicos sobre el disipador o sacando una imagen térmica.-
Imagen Térmica de un transistor encapsulado TO-3 En la figura de la izquierda se muestra una imagen térmica realizada por la empresa Compix de un transistor encapsulado TO-3, con mala disipación.-
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AREA de OPERACION SEGURA (SOA)      (SAFE OPERATING AREA)

La máxima capacidad de trabajar bajo carga de un transistor de potencia se caracteriza con su Area de Operación Segura (SOA) que se dibuja con los ejes de Vce como variable independiente y de Ic función de la Vce. Para los transistores bipolares la curva tiene cuatro regiones distintivas. A bajas Vce, la máxima corriente de salida del transistor puede ser entregada con seguridad a la carga. Excediendo el máximo de corriente permitido, se puede destruir el componente por sobrecarga de su construción mecánica (alambres internos de conexión, uniones, etc.).- A medida que la Vce aumenta, la potencia que tiene que disipar el transistor se incrementa hasta el punto de la máxima temperatura de juntura permitida. Todos los puntos a lo largo de esta región térmicamente limitada (ver línea de puntos) producen la misma disipación de potencia: Vce x Ic = constante. Todos los puntos sobre esta región de la curva producen la misma máxima temperatura de juntura. Excediendo esta sección del area de seguridad, se puede dañar la juntura del transistor. Posteriores incrementos de la Vce disminuyen la capacidad de entregar corriente en forma segura sin daño para el transistor y llevan a otro tramo de la curva que decrece más rápidamente. Esta región es la del llamado "ruptura secundaria" y es causado por la tendencia de los transistores bipolares a producir "puntos calientes", o puntos donde se concentra la circulación de corriente, donde se puede producir un exceso térmico y se destruye la juntura del transistor y por supuesto el dispositivo. El límite final es la tensión de ruptura del transistor, que no debe ser excedida. A menudo una curva SOA provee información mostrando como el límite de seguridad varía con la temperatura.- La curva SOA, debe ser estrictamente respetada en todos sus límites absolutos.-

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